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HomeLista de ProductosMateriales químicos electrónicos de semiconductoresGas electrónica de alta pureza que contiene flúor que contiene flúorTrifluoruro de nitrógeno NF3 99.5%Gas de grabado en plasma

Trifluoruro de nitrógeno NF3 99.5%Gas de grabado en plasma

  • $500
    ≥100
    Gram
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100 Gram
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  • Descripción
Overview
Atributos del producto

ModeloNitrogen trifluoride CAS: 7783-54-2

Capacidad de suministro e información a...

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Embalaje y entrega
Unidades de venta:
Gram

Nitrógeno Trifluoride CAS: 7783-54-2 NF3

99.5%de gas de grabado en plasma

Introducción del producto

El trifluoruro de nitrógeno (NF 3 ) es un tipo de gas incoloro, inodoro y estable de carácter, también es un tipo de oxidante fuerte. A temperatura y presión normales, su punto de fusión es 206.8 ℃, el punto de ebullición es 129.0 ℃, insoluble en agua. El trifluoruro de nitrógeno en la industria de la microelectrónica es una especie de excelente gas de grabado en plasma, que se agrieta en iones de flúor activo durante el proceso de grabado en plasma. Para el grabado en plasma del nitruro de silicio y silicio, el uso de trifluoruro de nitrógeno tiene una mayor velocidad de grabado y selectividad que el uso de tetrafluoruro de carbono o tetrafluoruro de carbono y gas mixto de oxígeno, especialmente en el proceso de grabado de material de circuito integrado con el espesor de menos de 1.5 μM,, El trifluoruro de nitrógeno tiene una excelente tasa de grabado y selectividad, lo que es más, no hay contaminación en la superficie del material grabado, también es un buen agente de limpieza.

Especificación de calidad

Project

Unit

index

NF3

Vol.%

99.5

99.9

99.98

99.99

99.996

CF4

Vol.ppm

1500

500

100

50

20

(N2

Vol.ppm

700

50

10

10

5

O2+Ar))

Vol.ppm

700

50

10

5

3

CO

Vol.ppm

50

10

10

5

1

CO2

Vol.ppm

25

10

10

5

0.5

N2O

Vol.ppm

50

10

10

5

1

SF6

Vol.ppm

50

50

10

5

2


Hydrolyzable fluoride 

Measured by HF

Vol.ppm

1

1

1

1

1

H2O

Vol.ppm

1

1

1

1

1

Solicitud

El trifluoruro de nitrógeno se puede usar como fuente de flúor de gas láser químico de alta energía y como agente de grabado para materiales semiconductores como polisilicio, nitruro de silicio y silicida de tungsteno. También se puede usar como agente de limpieza para la cámara de deposición de vapor químico y el panel LCD. El trifluoruro de nitrógeno se usa como agente de limpieza para la caja CVD, lo que puede reducir la emisión de contaminantes en un 90% en comparación con los perfluorocarbonos, y mejorar significativamente la velocidad de limpieza y la capacidad de limpieza.

Embalaje y almacenamiento

El trifluoruro de nitrógeno se llena en un cilindro de acero sin costuras con un volumen de 8L, 40L, 43.3L y 47L, respectivamente. El modelo de cilindro es DOT-3AA, GB 5099, la presión del cilindro es de 9.0-13.0MPA. Las especificaciones de embalaje se pueden personalizar de acuerdo con los requisitos de los clientes.

PRODUCTOS POR GRUPO : Materiales químicos electrónicos de semiconductores > Gas electrónica de alta pureza que contiene flúor que contiene flúor

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